LT-SD002型四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测-改进形范德堡测量方法测试电阻率/方阻的多用途综合测量仪器。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国 A.S.T.M 标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响，它与单电测直线或方形四探针相比，大大提高正确度，特别是适用于斜置式四探针对于微区的测试。
1、 仪器由主机、测试台、四探针探头、计算机等部分组成，测量数据既可由主机直接显示，亦可由计算机控制测试采集测试数据到计算机中加以分析，然后以表格，图形方式统计分析显示测试结果。
2、采用了最新电子技术进行设计、装配，具有功能选择直观、测量取数快、精度高、测量范围宽、稳定性好、结构紧凑、易操作等特点。
3、适用于半导体材料厂、半导体器件厂、科研单位、高等院校对半导体材料的电阻性能测试。
4、是一个运行在计算机上拥有友好测试界面的用户程序，通过此测试程序辅助使用户简便地进行各项测试及获得测试数据并对测试数据进行统计分析。
5、测试程序控制四探针测试仪进行测量并采集测试数据，把采集到的数据在计算机中加以分析，然后把测试数据以表格，图形直观地记录、显示出来。用户可对采集到的数据在电脑中保存或者打印以备日后参考和查看，还可以把采集到的数据输出到Excel中，让用户对数据进行各种数据分析。
测量范围 |
电阻率：10-5～105 Ω.cm(可扩展)； |
方块电阻：10-4～106 Ω/□(可扩展)； |
电导率：10-5～105 s/cm； |
电阻：10-5～105 Ω； |
v
可测晶片直径 |
140mmX150mm(配S-2A型测试台)； |
200mmX200mm(配S-2B型测试台)； |
400mmX500mm(配S-2C型测试台)； |
恒流源 |
电流量程分为1μA、10μA、100μA、1mA、10mA、100mA六档，各档电流连续可调 |
数字电压表 |
量程及表示形式：000.00～199.99mV； |
分辨力：10μV； |
输入阻抗：>1000MΩ； |
精度：±0.1% ； |
显示：四位半红色发光管数字显示；极性、超量程自动显示； |
四探针探头基本指标 |
间距：1±0.01mm； |
针间绝缘电阻：≥1000MΩ； |
机械游移率：≤0.3%； |
探针：碳化钨或高速钢Ф0.5mm； |
探针压力：5～16 牛顿(总力)； |
四探针探头应用参数 |
(见探头附带的合格证) |
模拟电阻测量相对误差 |
0.01Ω、0.1Ω、1Ω、10Ω、100Ω、1000Ω、10000Ω≤0.3%±1字 |
( 按JJG508-87进行) |
整机测量最大相对误差 |
(用硅标样片：0.01-180Ω.cm测试)≤±5% |
整机测量标准不确定度 |
≤5% |
测试模式 |
可连接电脑测试也可不连接电脑测试 |
软件功能（选配） |
软件可记录、保存、打印每一点的测试数据，并统计分析测试数据最大值、最小值、平均值、最大百分变化、平均百分变化、径向不均匀度、并将数据生成直方图，也可把测试数据输出到Excel中，对数据进行各种数据分析。软件还可选择自动测量功能，根据样品电阻大小自动选择适合电流量程档测试。 |
计算机通讯接口 |
并口，高速并行采集数据，连接电脑使用时采集数据到电脑的时间只需要1.5 秒（在 0.1mA、1mA、10mA、100mA量程档时）。 |
标准使用环境 |
温度：23±2℃； |
相对湿度：≤65%； |
无高频干扰； 无强光直射； |
执行GB/T1550-2018《非本征半导体材料导电类型测试方法》
GB/T 1551-2009《硅单晶电阻率的测定方法》
GB T 1552-1995 《硅、锗单晶电阻率测定直排四探针法》
ASTM F84-1984 《用直线四探针测量硅片电阻率的标准方法》
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